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Power Integrations现可提供集成900 V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC
发布时间:2019/5/24 8:52:51 | 在线投稿QQ:在线投稿

集成900 V MOSFET的开关电源IC可为市电电压不稳的地区提供有效的安全边距

 Power Integrations现可提供集成900 V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC

Power Integrations现可提供集成900 V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC,这些产品系列包括LinkSwitch-TN2、LinkSwitch-XT2和InnoSwitch3-EP。应用范围涵盖市电电压较高和不稳的地区的高品质消费电子产品和480 VAC以内的三相工业电源。

这些高度集成的900 V器件可帮助设计工程师实现全球通用的电源,满足全球各地用户的可靠性预期。它们还可以取代现有电源板设计中相应的725 V开关器件,无需修改设计即可支持更高电压。新IC包括下列900 V版本:

LinkSwitch-TN2 - 适合元件数极少的非隔离降压式变换器
LinkSwitch-XT2 - 适合8 W以内的隔离和非隔离反激式电源
InnoSwitch3-EP - 适合35 W以内效率极高的隔离反激式电源
下载下列参考设计报告,深入了解:

DER-737 - 使用900 V LinkSwitch-TN2的1.44 W非隔离降压式变换器
DER-736 - 使用900 V LinkSwitch-XT2的7 W非隔离反激式电源
DER-745 - 使用900 V InnoSwitch3-EP的10 W两路输出反激式电源
访问www.power.com了解更多信息

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