三星全力发展晶圆代工业务，规划投入1,160亿美元（约新台币3.3兆元），目标3纳米制程2022年量产，与台积电同步，是两强近年先进制程竞逐赛中，最接近的一次。业界关注，若三星发展3纳米进程顺利并提升良率，与台积电的抢单大战也将随之引爆。

对于相关报导，台积电昨（17）日表示，不评论竞争对手。不过，在技术上，先前台积电已设定的技术蓝图，目前计划并未改变。

台积电因先进制程领先，独揽苹果处理器代工大单，并囊括高通、联发科、AMD、英伟达等大厂高端芯片订单，三星虽然努力追赶，但在高阶制程订单斩获仍有限。

业界人士指出，三星集团近期动作频频，除了上周甫发表采用自家5纳米制程生产的5G芯片，本周又积极宣传3纳米技术蓝图，公司密集发布消息，宣示性意味浓厚。

台积电在7纳米与5纳米顺利量产至逐步放量都领先三星约两年。台积电先进制程量产计划早已底定，在持续扩展5纳米制程基础上，推出增强版的4纳米制程，预订2021年第4季风险试产，2022年投入量产。同时也着手3纳米研发，目标2021年试产，2022年下半年量产。

台积电总裁魏哲家在今年10月法说会上提到，台积电3纳米制程采用FinFET（鳍式场效电晶体）架构，以提供客户最成熟、同时效能和成本最佳的技术选项，看好3纳米制程推出后，将具备最佳的PPA（效能、功耗及面积），并为最先进的制程技术。

彭博报导，三星晶圆代工部门高层主管在一场未对外公开的活动上，对出席者表示，三星将在2022年量产3纳米晶片。

三星这个先前未曾曝光的目标，代表在台积电预期将于2021年试产3纳米、2022年投入量产之际，三星也努力开始要撼动晶圆代工产业，希望能争取到与台积电一样，在2022年量产3纳米，若成局，将是三星与台积电近年先进制程竞逐赛当中，双方最接近的一次。

彭博报导，三星电子晶圆代工设计部门执行副总裁朴在弘（音译）当时说，三星正与重要合作伙伴开发初始设计工具。如果三星成功，对于该公司的远大目标将是一大突破。三星期望借由采用环绕闸极技术（Gate-All-Around；GAA）来精进制程，该技术和台积电3纳米采用FinFET不同。

韩国仁荷大学材料科学与工程教授崔林诺（音译）表示：“三星非常迅速地追赶台积电，并且寻求借由首度采用新技术来迈向主导地位。然而，如果三星无法在初期阶段快速改善先进节点的生产良率，可能会亏钱。”