随着5G商用落地，工业4.0的持续推进，功率半导体作为碳中和的重要技术受到广泛关注。对比目前的Si功率器件，SiC和GaN等功率半导体具备处理高电压、大电流的能力，且体积更小，耗电量也大幅降低。

尽管面临着难以加工的课题，但进入21世纪后，功率半导体相关产品不断面世，各国纷纷展示出空前的重视。

根据日本运营知识产权库的Astamuse发布的数据，在2000年至2017年期间，全球37个国家共申请了4.7428万件功率半导体相关技术专利。按国家划分，美国的相关专利达1.3973万件位于第一位，其次是日本的1.2872万件，中国的8403件。

从企业专利数量来看，日本的三菱电机排名第一，为1304件，其次是德国英飞凌（983件），瑞萨电子（802件），东芝（456件）。富士电机（409件）排在第六，日立制作所(398件)为第七名。

美国公司中，英特尔以423件发明专利位居第五位，韩国的三星SDI则以280件位居第十。

日经认为，尽管日本在世界半导体市场上的优势地位已然暗淡，但在功率半导体领域其仍占有一席之地。另外，中国公司虽没能跻身榜单前几名，但观察全球，各国近期的专利申请数的增长势头已经超过了美国，今后有可能会崛起。