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一、 芯片基本介绍
ME8110主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的
一款高性能控制芯片。ME8110 内部集成了一个脉宽调制控制器和一个600V以上的高压功率
MOSFET。ME8110 的启动电流很低，它的电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这
些特性保证了电源能轻松达到最严苛的能源法规要求。 ME8110 的集成功能包括电流检测的
前沿消隐，内部斜率补偿，逐周期峰值电流限制和软启动。 另外，在误动作时，过流保护(OCP)，
过压保护(OVP) 和过载保护 (OLP) 能为芯片提供充分的保护。总之，ME8110 拥有更好的特
性和更低的电源成本
主要特点如下：
1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于100mW超低耗的性能。
2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统最小工作频
率控制在22K左右。
3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启
动时间。
4)更低工作电流：工作电流约为 2.5mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。
5)内置前沿消隐：内置350nS前沿消隐（LEB），可以节省一个外部的R-C网络，降低系统成
本。
6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得
全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。
7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，恒定的 OPP可以使系统
设计简洁可靠，同时满足安规的要求。
8)软启动功能：内置2mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。
9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。
10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以
降低系统的EMI 成本。