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    供应射频晶体管 硅N沟道MOSFET(BF999E6327)三极管
    删除信息打印此文 发布时间:2022/11/30 9:50:56
    信息类型:供应


    型号:BF999E6327
    品牌:Infineon
    封装:SOT-23
    批次:16+
    产品技术参数
           通道类型:N
    最大连续漏极电流:1.4 A
    最大漏源电压:30 V
    最大栅阈值电压:1.5V
    最小栅阈值电压:0.8V
    最大栅源电压:±20 V
    封装类型:SOT-23
    安装类型:表面贴装
    引脚数目:3
    晶体管配置:单
    通道模式:增强
    类别:MOSFET Tetrode
    最大功率耗散:0.2 W
    每片芯片元件数目:1
    宽度:1.3mm
    典型输入电容值@Vds:2.5 pF @ 10 V
    典型功率增益:27 dB
    晶体管材料:Si
    尺寸:2.9 x 1.3 x 0.9mm
    长度:2.9mm
    最高工作温度:+150 °C
    高度:0.9mm
    对于高频阶段高达300兆赫最好在FM应用
    无铅(符合RoHS标准)包
    根据AEC Q101进行合格
    应用于:
     机顶盒
     电视
     车上的收音机

    供应射频晶体管 硅N沟道MOSFET(BF999E6327)三极管
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    Published at 2024/4/21 0:03:43, Powered By v1.0.0(MSSQL)