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供应射频晶体管 硅N沟道MOSFET(BF999E6327)三极管
删除信息打印此文 发布时间:2021/11/28 11:57:00
信息类型:供应


型号:BF999E6327
品牌:Infineon
封装:SOT-23
批次:16+
产品技术参数
       通道类型:N
最大连续漏极电流:1.4 A
最大漏源电压:30 V
最大栅阈值电压:1.5V
最小栅阈值电压:0.8V
最大栅源电压:±20 V
封装类型:SOT-23
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
晶体管配置:单
通道模式:增强
类别:MOSFET Tetrode
最大功率耗散:0.2 W
每片芯片元件数目:1
宽度:1.3mm
典型输入电容值@Vds:2.5 pF @ 10 V
典型功率增益:27 dB
晶体管材料:Si
尺寸:2.9 x 1.3 x 0.9mm
长度:2.9mm
最高工作温度:+150 °C
高度:0.9mm
对于高频阶段高达300兆赫最好在FM应用
无铅(符合RoHS标准)包
根据AEC Q101进行合格
应用于:
 机顶盒
 电视
 车上的收音机

供应射频晶体管 硅N沟道MOSFET(BF999E6327)三极管
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Published at 2021/11/29 5:28:53, Powered By v1.0.0(MSSQL)