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供应 KH25L8006EM2I-12G SOP 串行闪存 全新原装
信息类型:供应
特点
•串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
• 4,194,304 ×1位结构或2097152 ×2位(双输出模式)结构
• 128平等部门,每个4K字节- 任何部门可以单独擦除
• 8个相等的块,每个64K字节- 任何块都可以单独擦除
•单电源工作- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
性能
•高性能
- 快速存取时间: 86MHz串行时钟
- 系列的双输出模式的时钟: 80MHz的
- 快速编程时间(最大) 1.4ms之内(典型值)和5毫秒/页(每页256字节)
- 字节编程时间: 9US
- 快速擦除时间: 60毫秒(典型值) /扇区(每扇区4K字节) ; 0.7秒(典型值) /块(每块64K字节)
•低功耗
- 低有效的读电流: 12毫安(最大值) ,在86MHz和4毫安频率为33MHz (最大)
- 低电平有效的编程电流: 20毫安(最大)
- 低电平有效擦除电流: 20毫安(最大)
- 低待机电流: 25uA (最大)
- 深度掉电模式5UA (典型值)
•最少10万次擦除/编程
•20年的数据保存
软件特点
·输入数据格式- 1字节命令代码
•块锁保护- 该BP0 ~ BP2状态位定义的区域的大小被软件免受编程和擦除IN-structions
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除,并在选定的行业数据验证
-自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据,可自动倍程序的脉冲宽度(在任何页面来进行编程,应先有在擦除状态页)
•状态寄存器功能
•电子标识
-JEDEC的2字节的设备ID
特点
•串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
• 4,194,304 ×1位结构或2097152 ×2位(双输出模式)结构
• 128平等部门,每个4K字节- 任何部门可以单独擦除
• 8个相等的块,每个64K字节- 任何块都可以单独擦除
•单电源工作- 2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
性能
•高性能
- 快速存取时间: 86MHz串行时钟
- 系列的双输出模式的时钟: 80MHz的
- 快速编程时间(最大) 1.4ms之内(典型值)和5毫秒/页(每页256字节)
- 字节编程时间: 9US
- 快速擦除时间: 60毫秒(典型值) /扇区(每扇区4K字节) ; 0.7秒(典型值) /块(每块64K字节)
•低功耗
- 低有效的读电流: 12毫安(最大值) ,在86MHz和4毫安频率为33MHz (最大)
- 低电平有效的编程电流: 20毫安(最大)
- 低电平有效擦除电流: 20毫安(最大)
- 低待机电流: 25uA (最大)
- 深度掉电模式5UA (典型值)
•最少10万次擦除/编程
•20年的数据保存
软件特点
·输入数据格式- 1字节命令代码
•块锁保护- 该BP0 ~ BP2状态位定义的区域的大小被软件免受编程和擦除IN-structions
•自动擦除和自动编程算法
-自动擦除,并在选定的行业数据验证
-自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据,可自动倍程序的脉冲宽度(在任何页面来进行编程,应先有在擦除状态页)
•状态寄存器功能
•电子标识
-JEDEC的2字节的设备ID
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