信息类型：供应


特点:

在10年来最低的数据保留没有外部电源的


数据电源时自动保护损失


电源监控器复位处理器时，VCC功率损失发生，并持有处理器在V重置CC斜升


剩余容量电池监控检查每日


读取和写入存取时间快100纳秒


没有写次数限制


典型待机电流为50μA


升级为128K ×8 SRAM ， EEPROM或FL灰


锂电池与电路断开


维持保鲜状态加电了第一次


可选的工业级温度范围


-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND


PowerCap模块（ PCM ）封装


- 表面贴装模块


- 可更换的即时安装PowerCap提供备用锂电池


- 标准引脚所有非易失SRAM产品


- 分离的PowerCap允许拆卸方便使用普通螺丝刀










描述：

该DS1345W 3.3V 1024K非易失SRAM是一种1,048,576位，全静态非易失SRAM由8位， 131,072字。


每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路连续监视VCC对于超出容限。


当这样的条件发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。


此外， DS1345W具有专用电路监测V状态CC和锂电池内部的状态。


PowerCap模块DS1345W设备包可以直接表面安装，并且通常与DS9034PC PowerCap配合形成完整的非易失SRAM模块。


该装置可代替的128k ×8的SRAM，EEPROM被用于或Flash组件












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