1.介绍：
FT822是一款具有功率因素校正功能的LED驱动芯片，它通过固定导通时间控制来稳定输出且实现高功率因
素(PF)与低总谐波失真(THD)特性。内部高线性乘法器设计与THD优化模块设计使IC能在85V至265V宽输入
电压范围内应用，且保持极低的总谐波失真。FT822具备丰富的保护功能，如可调输出过压保护，输出短
路保护(OSCP)，芯片过温保护，Vcc过压保护，开环保护等保护功能令LED系统工作起来更加安全可靠。
FT822内部框图如图二所示。

2.系统设计
FT822的典型应用为反激拓扑结构，如图三所示。
我们首先介绍FT822的反激工作原理，假设交流输入电压波形是理想正弦波，整流桥也是理想的，则整流
后输入电压瞬时值Vin(t)可表示为：
)***2sin(*)( tf VtV L PK in π =
 
其中VPK为交流输入电压峰值， RMS PK V V *2 = ，VRMS为交流输入电压有效值，fL为交流输入电压频率。
再假定在半个交流输入电压周期内FT822误差放大器的输出VCOMP为一恒定值，则初级电感电流峰值瞬时值
Ipkp(t)为：
)***2sin(*)( tf ItI L PKp pkp π =
，
其中IPKp为相对于输入电压初级电感电流峰值的最大值。
在反激电路中，当MOSFET导通时，输入电压Vin(t)对电感充电，同时输出电容对负载放电，初级电感电流
从零开始上升，令 θ π = tfL ***2 ，有
PK
PKpp
in
pkpP
ON
V
IL
V
IL
T
*
)(
)(*
= =
θ
θ
，
TON为MOSFET导通时间，Lp为初级电感量，由上式可见，TON与相位无关。
假设变压器的效率为1且绕组间完全耦合，当MOSFET关断时，次级电感对输出电容充电和对负载放电，有
)(*
)sin(**
)(
)(**
)(
)(* 2
fout
PKpp
fout
pkp
p
fout
pkss
OFF
VVn
IL
VV
In
n
L
VV
IL
T
+
=
+
=
+
=
θ θ θ
，
其中，TOFF为MOSFET关断时间，Ipks(θ)为次级峰值电流瞬时值，Ls为次级电感量，Vout为输出电压, Vf为输
出整流管正向压降，n为初次级匝比，TOFF随输入电压瞬时值变化而变化。
工作电流波形如图四所示，可见，在半个输入电压周期内，只要控制TON固定，则电感电流峰值跟随输入电
压峰值，且相位一致，实现高功率因素PF。