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深圳供应-SVS24N60PND2-封装TO-3P--超结MOS功率管
信息类型:供应
SVS24N60PND2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-3P 超结MOS功率管
SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度等特性,提高热行为。
此外,SVS24N60F(FJ)(PN)(T)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
24A,600V, RDS(on)(typ.)=0.14W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
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