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    深圳市科瑞芯电子--SVS7N65FD2-士兰微电子超结MOS功率管
    删除信息打印此文 发布时间:2024/3/11 13:46:42
    信息类型:供应


    SVS7N65FD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220F-3L 超结MOS功率管



    SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度等特性,提高热行为。



    此外,SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑,照明,适配器等领域。



    主要特点
    7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V 
    创新高压技术
    低栅极电荷
    较强的雪崩能力
    较强的dv/dt能力
    较高的峰值电流能力



    封装:TO-252-2L
    TO-251J-3L
    TO-220FJ-3L
    TO-220F-3L

    深圳市科瑞芯电子--SVS7N65FD2-士兰微电子超结MOS功率管

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    Published at 2024/5/19 12:05:14, Powered By v1.0.0(MSSQL)