SVS7N65FD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220F-3L 超结MOS功率管

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度等特性，提高热行为。

此外，SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)D2应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑，照明，适配器等领域。

主要特点
7A,650V, RDS(on)(typ.)=0.55W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-252-2L
TO-251J-3L
TO-220FJ-3L
TO-220F-3L