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    Silan士兰微-SVSP6N80FD2-超结MOS功率管
    删除信息打印此文 发布时间:2024/2/17 10:01:45
    信息类型:供应


    SVSP6N80FD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220F-3L 超结MOS功率管



    SVSP6N80F(D)(MJ)D2  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。



    此外,SVSP6N80F(D)(MJ)D2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。



    主要特点
    6A,800V, RDS(on)(typ.)=0.8W@VGS=10V 
    创新高压技术
    低栅极电荷
    较强的雪崩能力
    较强的dv/dt能力
    较高的峰值电流能力



    封装:TO-252-2L
    TO-251J-3L
    TO-220F-3L





    Silan士兰微-SVSP6N80FD2-超结MOS功率管

    Silan士兰微-SVSP6N80FD2-超结MOS功率管
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    Published at 2024/3/3 14:13:48, Powered By v1.0.0(MSSQL)