全新现货IRLML2060TRPBF品牌IR , N沟道 MOSFET, 1.2 A, Vds=60 V, 3针封装SOT-23
发布者:YFMLLP 发布时间:2022/11/30 9:50:56

型号:IRLML2060TRPBF

品牌:IR

批次:16+

封装:SOT-23

通道类型:N

最大连续漏极电流:1.2 A

最大漏源电压:60 V

最大漏源电阻值:480 mΩ

最大栅阈值电压:2.5V

最小栅阈值电压:1V

最大栅源电压:±16 V

封装类型:SOT-23

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:单

通道模式:增强

类别 功率 :MOSFET

最大功率耗散:1250 mW

最高工作温度:+150 °C

高度:1.02mm

尺寸:3.04 x 1.4 x 1.02mm

长度:3.04mm

宽度;1.4mm

每片芯片元件数目:1

晶体管材料:Si

典型接通延迟时间:4.9 ns

最低工作温度:-55 °C

典型栅极电荷@Vgs:0.67 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds:64 pF@ 25 V

典型关断延迟时间:3.7 ns

IRLML2502TRPBF

IRLML6302TRPBF

IRLML6402TRPBF

IRLML6401TRPBF

IRLML5203TRPBF

IRLML2402TRPBF

IRLML0060TRPBF

IRLML2060TRPBF

IRLML2402TRPBF

Copyright © 卓强IC网 Inc. All rights reserved.
Published at 2025/10/5 3:56:23, Powered By v1.0.0(MSSQL)