供应射频晶体管 硅N沟道MOSFET(BF999E6327)三极管
发布者:YFMLLP 发布时间:2022/11/30 9:50:56

型号:BF999E6327

品牌:Infineon

封装:SOT-23

批次:16+

产品技术参数

       通道类型:N

最大连续漏极电流:1.4 A

最大漏源电压:30 V

最大栅阈值电压:1.5V

最小栅阈值电压:0.8V

最大栅源电压:±20 V

封装类型:SOT-23

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:单

通道模式:增强

类别:MOSFET Tetrode

最大功率耗散:0.2 W

每片芯片元件数目:1

宽度:1.3mm

典型输入电容值@Vds:2.5 pF @ 10 V

典型功率增益:27 dB

晶体管材料:Si

尺寸:2.9 x 1.3 x 0.9mm

长度:2.9mm

最高工作温度:+150 °C

高度:0.9mm

对于高频阶段高达300兆赫最好在FM应用

无铅(符合RoHS标准)包

根据AEC Q101进行合格

应用于:

 机顶盒

 电视

 车上的收音机


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Published at 2025/10/4 15:36:58, Powered By v1.0.0(MSSQL)