发布者： 凌晔科技 发布时间：2022/11/30 9:59:13
特点：
在10年来最低的数据保留没有外部电源的
数据电源时自动保护损失
直接取代2K ×8易失静态RAM或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入的100 ns的访问时间
锂能源电断开，维持保鲜状态功耗施加首次
±10 ％VCC工作范围（ DS1220AD ）
可选的± 5 ％VCC工作范围(DS1220AB)
可选的工业级温度范围-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
描述：
该DS1220AB和DS1220AD 16K非易失性SRAM是16,384位，全静态非易失SRAM的由8位， 2048字。
每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路连续监视VCC对于超出容限。
当这样的条件发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。
该NV SRAM可以替代现有的2K ×8的SRAM的使用直接符合流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该器件还符合的引脚排列在2716 EPROM和EEPROM 2816 ，可直接替换并增强其性能。
有上，能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制所需的微处理器接口
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