IRF3205PBF

IRF3205PBF

IRF3205PBF

IRF3205PBF

IRF3205PBF

产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 97.3 nC

配置: Single

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

Pd-功率耗散: 150 W

工厂包装数量: 1000

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

单位重量: 6 g

产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 97.3 nC

配置: Single

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

Pd-功率耗散: 150 W

工厂包装数量: 1000

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

单位重量: 6 g

产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 98 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 97.3 nC

配置: Single

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

Pd-功率耗散: 150 W

工厂包装数量: 1000

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

单位重量: 6 g