型号：BSS131H6327XTSA1

品牌：Infineon

封装:SOT-23

批次：1710+

类别:分立半导体产品,晶体管-FET，MOSFET-单

制造商:InfineonTechnologies

系列:SIPMOS®

包装:剪切带（CT）

零件状态:在售

FET类型:N沟道

技术:MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:240V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:110mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V@56μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:3.1nC@10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF@25V

Vgs（最大值）:±20V

FET功能:-

功率耗散（最大值）:360mW（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）:14欧姆@100mA，10V

工作温度:55°C~150°C（TJ）

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT23-3

封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3