详细参数：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：124pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：33W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 600mA，13V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO251

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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