SVSP20N65FJDD2 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-220FJD-3L 超结MOS功率管

SVSP20N65FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVSP20N65FJD(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
20A,650V, RDS(on)(typ.)=0.2W@VGS=10V 
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-220FJD-3L
TO-220F-3L