发布者： 硅原半导体 发布时间：2024/3/11 11:29:32
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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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IGBT 模块
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RoHS:
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详细信息
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产品:
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IGBT Silicon Modules
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配置:
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Dual
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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1200 V
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集电极—射极饱和电压:
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1.75 V
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在25 C的连续集电极电流:
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995 A
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栅极—射极漏泄电流:
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400 nA
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Pd-功率耗散:
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4050 W
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最小工作温度:
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- 40 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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封装:
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Tray
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商标:
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Infineon Technologies
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栅极/发射极最大电压:
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20 V
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安装风格:
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Chassis Mount
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产品类型:
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IGBT Modules
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系列:
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Trenchstop IGBT4 - E4
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工厂包装数量:
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10
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子类别:
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IGBTs
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技术:
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Si
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商标名:
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TRENCHSTOP EconoDUAL PressFIT
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零件号别名:
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SP000635448 FF600R12ME4BOSA1
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单位重量:
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345 g
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