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详细信息
品牌：Silan/士兰微
封装：TO-263-2L
批号：23+
数量*：6000
描述：120A、80V N沟道增强型场效应管
描述
SVG086RONT(S)(D)(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管
采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品.
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
封装：TO-263-2L
批号：23+
数量*：6000
描述：120A、80V N沟道增强型场效应管
描述
SVG086RONT(S)(D)(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管
采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品.
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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