深圳市利嘉半导体有限公司

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• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FOD3182SD
• 美国仙童半导体 
• PDIP-8 
• 23+ 
• 154000 
• 800V,12.6A,750m
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FQA13N80-F109
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 21+ 
• 11250 
• 600V，240mΩ，23.5
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FQA24N60
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 21+ 
• 18090 
• 500V,28.4A,160m
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FQA28N50
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 22+ 
• 14850 
• 具有集成电流监控器的集成驱动器
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NCP303151MNTWG
• 美国安森美半导体 
• PQFN-39 
• 22+ 
• 18000 
• 高电压,高和低边MOSFET/
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NCP5106AMNTWG
• 美国安森美半导体 
• DFN-10 
• 17+ 
• 4000 
• 1200V,30A,场截止II
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NCP81071BDR2G
• 美国安森美半导体 
• SOIC-8 
• 22+ 
• 100000 
• 高性能同步降压双MOSFET栅
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NCP81155MNTXG
• 美国安森美半导体 
• DFN-8 
• 21+ 
• 1410000 
• 自保护低边驱动MOSFET,4
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NCV8405ASTT1G
• 美国安森美半导体 
• TO-261-4 
• 22+ 
• 16000 
• 25A,30V逻辑电平,P沟道
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTD25P03LT4G
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 23+ 
• 32000 
• 9.0A,60V,逻辑电平,N
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTD3055L170T4G
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 22+ 
• 127500 
• 900V，20mΩ，118A，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTHL020N090SC1
• 美国安森美半导体 
• TO-247-3 
• 21+ 
• 3720 
• 40V,4.5mΩ,78A,单
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTMFS5C460NLT1G
• 美国安森美半导体 
• DFN-5 
• 22+ 
• 222000 
• 60V,196A,1.8mOh
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTMFS5C612NLT1G
• 美国安森美半导体 
• DFN-5 
• 22+ 
• 97200 
• 8V,3.7A,P沟道功率MO
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTR2101PT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 138000 
• 30V,1.95A,P沟道功率
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTR4502PT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 17600 
• -20V,-3.2A,85mΩ
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTRV4101PT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+ 
• 26100 
• 20V,540mA,双N沟道小
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NTZD3154NT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-563-6 
• 22+ 
• 28000 
• P沟道功率MOSFET
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NVATS5A112PLZT4G
• 美国安森美半导体 
• 369AM 
• 23+ 
• 141000 
• 60V，27.4mΩ，17A，
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NVD5C688NLT4G
• 美国安森美半导体 
• DPAK-252 
• 22+ 
• 30000 
• 20V,3.2A,80mOhm
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NVR4501NT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 23+ 
• 99000 
• ?60V,230mΩ,-1.1
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• NVR5124PLT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+ 
• 717000 
• 负载MOSFET驱动
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• SZNUD3160LT1G
• 美国安森美半导体 
• SOT-23-3 
• 22+ 
• 54000 
• IGBT - 汽车级 1200
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• AFGHL40T120RLD
• 美国安森美半导体 
• TO247 
• 22+ 
• 210 
• IGBT - 650 V 12
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• AFGY120T65SPD
• 美国安森美半导体 
• TO-247 
• 22+ 
• 150 
• 600V, PT IGBT
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FGAF40N60UFDTU
• 美国安森美半导体 
• TO-3-3 
• 19+ 
• 2880 
• IGBT, 450V, 23
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FGD3245G2-F085
• 美国安森美半导体 
• TO-252-3 
• 22+ 
• 2100 
• 600V,40A,N沟道场截止
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FGH40N60SFDTU
• 美国安森美半导体 
• TO-247-3 
• 21+ 
• 8200 
• IGBT,650V,75A
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FGHL75T65MQDT
• 美国安森美半导体 
• TO-247-3LD 
• 22+ 
• 3600 
• IGBT,400V,26A
• 

• 深圳市利嘉半导体有限公司
• FGP3040G2-F085
• 美国安森美半导体 
• TO-220-3 
• 20+ 
• 600 
• "ISL9V3040D3ST-
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