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IRFR220NTRPBF场效应管
信息类型：供应
型号 ：IRFR220NTRPBF
品牌：IR
封装:TO-252
制造商：International Rectifier
最小包装量：2000PCS
封装：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
包装：Tape & Reel (TR)
类别：FET - 单路
无铅情况/RoHS： 符合
产品描述：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
系列:HEXFET?
功率 - 最大值:43W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:600 mOhm @ 2.9A, 10V
FET 功能:Standard
FET 类型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss):200V
型号 ：IRFR220NTRPBF
品牌：IR
封装:TO-252
制造商：International Rectifier
最小包装量：2000PCS
封装：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
包装：Tape & Reel (TR)
类别：FET - 单路
无铅情况/RoHS： 符合
产品描述：MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
系列:HEXFET?
功率 - 最大值:43W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:600 mOhm @ 2.9A, 10V
FET 功能:Standard
FET 类型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss):200V
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