- SPU01N60C3
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详细信息
品牌：INFINEON
封装：TO-251
批号：11+
数量：10350
描述：数据列表 SPD,SPU01N60C3
产品相片 DPAK_369D−01
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 800mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 100pF @ 25V
功率 - 最大值 11W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装 PG-TO251-3
包装 管件
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它型号：SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
封装：TO-251
批号：11+
数量：10350
描述：数据列表 SPD,SPU01N60C3
产品相片 DPAK_369D−01
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 800mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 100pF @ 25V
功率 - 最大值 11W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装 PG-TO251-3
包装 管件
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它型号：SP000012110
SPU01N60C3-ND
SPU01N60C3IN
SPU01N60C3X
SPU01N60C3XK
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警方提示：网上买、卖商品要谨慎小心，以免上当受骗。
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